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英特尔的关键EMIB技术实现了惊人的良率，表明其已准备好在即将到来的AI数据中心芯片中得到应用。
英特尔EMIB是芯片巨头英特尔最关键的晶圆代工技术，它将使英特尔成为台积电在先进封装领域的有力竞争对手。
我们最近讨论了人工智能公司如何将EMIB技术应用于其下一代人工智能芯片。这项技术的目标很简单：为台积电的CoWoS技术提供一种经济高效且可扩展的替代方案。
英特尔的先进封装技术将被谷歌用于其下一代TPU芯片，我们也曾报道过将其用于其下一代Feynman芯片。GF证券科技研究部的分析师Jeff Pu分享了他对EMIB项目进展的一些见解，初步印象非常不错。
据杰夫透露，的EMIB良率已达到90%，这对公司的晶圆代工业务来说无疑是个好消息，也解释了为何目前外界对英特尔晶圆代工如此充满信心。Meta也是EMIB的客户之一，不过双方的合作计划是围绕2028年底推出的CPU展开，因此我们还需要一段时间才能获得更多相关信息。
与此同时，英特尔并未停止宣传其EMIB技术的优势。这家芯片制造商再次强调了EMIB（嵌入式多芯片互连桥）的诸多益处，包括：提高良率、降低功耗、降低成本，以及使更大规模的“混合节点”系统成为现实。
在最新发布的视频中，英特尔还分享了关于EMIB封装的一个有趣见解，指出EMIB的良率与FCBGA相当，同时芯片间的互连密度更高。FCBGA（倒装芯片球栅阵列）是另一种高性能封装技术，广泛应用于各种IP，例如CPU、GPU和其他控制器芯片。FCBGA芯片通过焊球直接连接到PCB基板，而EMIB则将互连封装在桥接结构中，从而将多个芯片连接在一起。
EMIB-M 和 EMIB-T 的主要区别
目前，EMIB技术主要有两种：EMIB-M和EMIB-T。EMIB-M桥接电路的设计旨在提高效率，其硅桥接电路中采用MIM电容，通过最大程度地降低噪声来增强功率传输和电路完整性。虽然MIM电容的成本略高于金属-氧化物-金属（MOM）电容，但它具有更高的稳定性和更低的漏电。
EMIB-M 的构建过程涉及通过芯片组创建高密度 3D 结构。这些芯片组通过 EMIB-M 桥接器连接，该桥接器提供高带宽互连。芯片组的电源绕过桥接器传输。
嵌入式多芯片互连桥 2.5D。
一种高效、经济的多个复杂芯片连接方式。
用于逻辑-逻辑和逻辑-高带宽存储器（HBM）的 2.5D 封装。
EMIB-M 在桥式电路中采用 MIM 电容。EMIB-T 在桥式电路中增加了 TSV 封装。
封装基板中嵌入硅桥，用于岸线到岸线的连接。
EMIB-T 可以简化其他封装设计中的 IP 集成。
简化供应链和组装流程。
生产已验证：自 2017 年以来，已采用英特尔和外部芯片进行大规模生产。
EMIB-T 改变了电源布线方式，通过集成 TSV 技术实现了更高的密度扩展。与 EMIB-M 不同，EMIB-T 中的电源可以直接通过 EMIB 桥接器布线，而无需绕过桥接器。EMIB-T 的设计旨在满足高性能 AI 芯片的需求。
面向超大规模数据中心时代的 EMIB 规模化应用
目前，EMIB-T 芯片的扩展能力已达到光罩尺寸的 8 倍以上，封装尺寸为 120x120，可容纳 12 个 HBM 芯片、4 个高密度芯片组以及超过 20 个 EMIB-T 连接。到 2028 年，英特尔计划将扩展能力提升至光罩尺寸的 12 倍以上，封装尺寸超过 120x180，可容纳超过 24 个 HBM 芯片和超过 38 个 EMIB-T 桥接器。
作为对比，台积电预计到2028年将实现14倍光刻技术，最多可集成20个HBM封装。该公司还拥有用于超大型先进封装芯片的SoW（晶圆系统）封装，但其成本远高于CoWoS。
EMIB 的一个关键优势在于它与 IP 和工艺节点无关，因此您可以容纳基于各种 IP 和各种第三方或内部工艺节点的多个芯片，从而制造出专为带宽、电源完整性和规模而设计的芯片。
（来源：编译自wccftech）
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